所在地:广东深圳市
产品详情
明佳达现货供应全新正品IPU50R2K0CE和IPS60R2K1CE【规格】
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):13V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):124pF @ 100V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):22W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):2 欧姆 @ 600mA,13V
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:PG-TO251-3
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
IPA60R800CE
IPD50R950CE
IPSA70R600CE
IPS70R1K4CE
IPA50R650CE
IPU60R1K0CE
IPU80R1K0CE
IPU50R950CE
IPS70R950CE
IPS65R1K5CE
IPN50R3K0CE
IPD70R2K0CE
IPU50R2K0CE
IPS60R2K1CE
IPS60R1K0CE
IPS70R2K0CE
IPSA70R950CE
IPS60R1K5CE
IPS60R3K4CE
IPU50R3K0CE
IPS65R650CE
IPSA70R2K0CE
IPU60R3K4CE
IPD60R3K4CE
因市场价格变动幅度较大,价格方面请以当天咨询为准,如有不便之处,敬请谅解!!!